Полоцкий государственный университет

Полоцкий
государственный
университет

Электронные приборы и устройства  Ч.1

Электронные приборы и устройства: Учеб.-метод. комплекс: в 2-х частях Ч.1/ Сост. и общ. ред. С.Н. Абраменко. – Новополоцк: ПГУ, 2008. - 360 с.
Разработан в соответствии с учебными планами, типовыми программами курса. Содержит программу курса, цели дисциплины и пути их достижения, методические указания по изучению дисциплины, опорный конспект лекций, теоретические материалы к практическим работам, решения типовых задач и примеров, рекомендуемую литературу, материалы для самоконтроля.

Абраменко Сергей Николаевич

Сергей
Николаевич
АБРАМЕНКО

старший преподаватель кафедры конструирования и технологии РЭС.

Окончил ПГУ в 1998г. На кафедре работает с 1997г., преподавателем – с 2001г. Окончил очную аспирантуру в 2001г. Преподает цикл специальных дисциплин. Автор десяти научных статей, соавтор патента на полезную модель.

СОДЕРЖАНИЕ

Введение

Содержание дисциплины

РАЗДЕЛ 1. ВВЕДЕНИЕ. КЛАССИФИКАЦИЯ ЭП, СТРОЕНИЕ ТЕЛ
Тема 1. Введение. Основные определения и направления

1.1. Основные определения и направления
1.2. Движение электронов в электрических и магнитных полях
1.2.1. Движение электронов в ускоряющем электрическом поле
1.2.2. Движение электрона в тормозящем электрическом поле
1.2.3. Движение электрона в поперечном электрическом поле
1.2.4. Движение электрона в магнитных полях
1.2.5. Физические основы полупроводниковых материалов. Зонная энергетическая диаграмма
1.3. Электропроводность полупроводников
1.3.1. Собственная проводимость полупроводников
1.3.2. Примесная проводимость полупроводников
1.3.3. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках

РАЗДЕЛ 2. СПЕЦИАЛЬНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ. P-N-ПЕРЕХОД. ПРОЧИЕ ВИДЫ ПЕРЕХОДОВ
Тема 2. Специальные полупроводниковые приборы

2.1. Варисторы
2.2. Терморезисторы
2.3. Магниторезисторы
2.4. Приборы на аморфных полупроводниках
2.5. Тензоэлектрические полупроводниковые приборы
2.6. Термоэлектрические полупроводниковые приборы
Тема 3. Электронно-дырочный (p-n) переход
3.1. Образование электронно-дырочного перехода
3.2. Прямое и обратное включение р-n перехода
3.3. Свойства и характеристики р-n перехода
3.4. Пробой p-n-перехода
3.5. Переход Шоттки
3.5.1. Образование перехода Шоттки
3.5.2. Прямое и обратное включение диодов Шоттки
3.6. Некоторые эффекты в полупроводниках
3.6.1. Тоннельный эффект
3.6.2. Эффект Гана
3.6.3. Эффект Холла

РАЗДЕЛ 3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
Тема 4. Полупроводниковые приборы. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых диодов

4.1. Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов
4.2. Конструкция полупроводниковых диодов
4.3. Вольт-амперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов
4.4. Выпрямительные диоды
4.5. Стабилитроны
4.6. Варикапы
4.7. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды
4.7.1. Импульсные диоды
4.7.2. Диоды ВЧ
4.7.3. СВЧ диоды

РАЗДЕЛ 4. ТРАНЗИСТОРЫ
Тема 5. Биполярные транзисторы. Устройство, классификация и принцип действия биполярных транзисторов

5.1. Классификация и маркировка транзисторов
5.2. Устройство биполярных транзисторов
5.3. Принцип действия биполярных транзисторов
5.4. Схемы включения биполярных транзисторов
5.4.1. Схема включения с общей базой
5.4.2. Схема включения с общим эмиттером
5.4.3. Схема включения с общим коллектором
5.4.4. Усилительные свойства биполярного транзистора
Тема 6. Статические характеристики схем включения биполярных транзисторов. Частотные, температурные и электрические параметры
6.1. Статические характеристики транзистора по схеме ОБ
6.1.1. Входная характеристика
6.1.2. Выходная характеристика
6.2. Статические характеристики транзистора по схеме ОЭ
6.3. Температурные свойства транзисторов
6.4. Частотные свойства транзисторов
6.5. Параметры биполярных транзисторов
Тема 7. Полевые транзисторы
7.1. Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
7.2. Характеристики и параметры полевых транзисторов
7.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором
7.4. Полевые транзисторы для ПМС РПЗУ
7.5. Схемы включения полевых транзисторов
7.6. Параметры полевых транзисторов

РАЗДЕЛ 5. БЕСКОНТАКТНЫЕ УСТРОЙСТВА КОММУТАЦИИ И ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА
Тема 8. Приборы бесконтактной коммутации: тиристоры, IGBT- транзисторы

8.1. Устройство и принцип действия динисторов
8.2. Основные параметры тиристоров
8.3. Тринисторы
8.4. Симисторы
8.5. Однопереходные транзисторы(двухбазовые)
8.6. Силовые биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Тема 9. Оптоэлектронные приборы
9.1. Общая характеристика оптоэлектронных приборов
9.2. Излучатели
9.2.1. Излучающий диод (светодиод)
9.2.2. Лазеры
9.3. Приемники оптического излучения
9.3.1. Общая характеристика
9.3.2. Фоторезисторы
9.3.3. Фотодиоды
9.3.4. Фототранзисторы
9.3.5. Фототиристоры
9.4. Понятие о приборах с зарядовой связью Многоэлементные приемники изображения
9.4.1. Аналоговые ПЗС
9.4.2. ПЗС-преобразователи изображения
9.5. Оптроны и оптоэлектронные ИМС
9.6. Индикаторы
9.6.1. Буквенно-цифровые индикаторы
9.6.2. Матричные индикаторы
9.6.3. Вакуумные электролюминесцентные индикаторы
9.6.4. Жидкокристаллические индикаторы

РАЗДЕЛ 6. ЭЛЕКТРОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ
Тема 10. Электронные усилители. Классификация и основные технические показатели усилителей

10.1. Классификация усилителей
10.2. Основные технические показатели усилителей
10.3. Характеристики усилителей
10.4. Межкаскадные связи в усилителях
10.4.1. Виды межкаскадных связей
10.4.2. Эквивалентная схема усилительного каскада с резисторно-емкостными связями
10.4.3. Анализ эквивалентной схемы на низких, средних и высоких частотах
Тема 11. Обратная связь в усилителях
11.1. Виды обратной связи
11.2. Влияние ООС на основные показатели усилителя
11.3. Устойчивость работы многокаскадных усилителей
11.4. Регулировки в усилителях
Тема 12. Усилители постоянного тока с непосредственными связями. Дифференциальные и операционные усилители
12.1. Усилители постоянного тока с непосредственными связями
12.2. Дифференциальный каскад УПТ
12.3. Операционные усилители (ОУ). Классификация и основные параметры операционных усилителей
12.4. Схемы включения и использования ОУ

РАЗДЕЛ 7. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
Тема 13. Основы микроэлектроники

13.1. Классификация и УГО интегральных микросхем
13.2. Аналоговые интегральные микросхемы
13.3. Классификация микросхем по функциональному признаку, система обозначений. Функциональная классификация микросхем
13.4. Элементы и компоненты ГИС
13.5. Элементы и компоненты полупроводниковых ИМС
13.6. Корпуса ИМС, техническая документация на ИМС
Тема 14. Простейшие логические функции и логические элементы
14.1. Логические функции и их реализация
14.2. Схемотехника простейших логических элементов
14.3. Характеристики и параметры цифровых ИМС
14.4. Классификация логических устройств
Тема 15. Базовые логические элементы цифровых интегральных микросхем
15.1. Диодно-транзисторная логика
15.2. Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ)
15.2.1. Транзисторно-транзисторная логика с простым инвертором
15.2.2. ТТЛ со сложным инвертором
15.3. Логические элементы ТТЛ со специальными выводами
15.3.1. ТТЛ с открытым коллектором
15.3.2. ТТЛ с Z-состоянием
15.3.3. ТТЛШ
15.4. Логические элементы на полевых транзисторах МОП-структуры
15.4.1. Ключи на МОП-транзисторах
15.4.2. Комплементарная МОП – пара (КМОП)
15.4.3. Реализация функции И-НЕ в КМОП-логике
15.4.4. Реализация функции ИЛИ-НЕ в КМОП-логике
15.5. Эмиттерно-связная логика
15.5.1. Реализация функций ИЛИ и ИЛИ-НЕ в эмиттерно-связной логике (ЭСЛ)
15.5 2. Источник опорного напряжения
15.5 3. Базовый элемент ЭСЛ серии К500
15.6. Интегральная инжекционная логика (И2Л)
15.7. Правила схемного включения элементов

РАЗДЕЛ 8. ГЕНЕРАТОРЫ
Тема16. Автогенераторы электрических клебаний

16.1. Генераторы гармонических колебаний. Общие сведения
16.2. Самовозбуждение генератора
16.3. LС-генераторы
16.4. Режимы самовозбуждения автогенераторов
16.5. Трехточечные автогенераторы гармонических колебаний
16.6. RС-генераторы
16.7. Стабилизация частоты в автогенераторах
16.8. Прочие типы генераторов. Магнетроны
16.9. Оптические квантовые генераторы (лазеры)

РАЗДЕЛ 9. ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ
Тема17. Электровакуумные и лучевые приборы

17.1. Введение в эмиссионную электронику
17.2. Основы эмиссионной электроники
17.3. Электровакуумный диод, устройство и принцип действия
17.4. Основные параметры электровакуумного диода
17.5. Триод
17.5.1. Устройство и принцип действия триода
17.5.2. ВАХ и основные параметры триода
17.6. Электронно-лучевые трубки (ЭЛТ) с электростатическим управлением
17.7. ЭЛТ с электромагнитным управлением
17.8. Кинескопы
17.9. Цветные кинескопы

РАЗДЕЛ 10. ШУМЫ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
Тема 18. Шумы электронных приборов

18.1.Общие сведения
18.2. Источники шумов в электронных приборах
18.3. Коэффициент шума Шумы биполярных транзисторов
18.4. Шумы полевых транзисторов
18.5. Выбор малошумящих транзисторов