Вабищевич Наталья Вячеславовна
Старший преподаватель кафедры физики
Преподавательская деятельность
Преподавательская деятельность Натальи Вячеславовны связана с Полоцким государственным университетом, в котором она работает с 1990 года после окончания физического факультета Белорусского государственного университета.
В 2000 году окончила аспирантуру БГУ по специальности «Физика полупроводников и диэлектриков».
В настоящее время преподает следующие дисциплины:
- Общая физика
Научные интересы
- Физика твердого тела
- Изучение электрофизических и механических свойств полупроводниковых материалов
Является специалистом в области материаловедения полупроводников и структур на их основе. Работала в качестве научного сотрудника при выполнении научно-исследовательских работ в рамках государственных комплексных программ научных исследований: «Кристаллофизика» (2002-2005гг.) и «Кристаллические и молекулярные структуры» (2006-2010гг. и 2011-2013гг.).
Авторский профиль ученого
Публикации
Наталья Вячеславовна – автор патента на способ определения, более 90 публикаций в научно-технических журналах и докладов на международных научных конференциях.
- Ion implantation of positive photoresists / D. I. Brinkevich, S. D. Brinkevich, N. V. Vabishchevich, V. B. Odzhaev, V. S. Prosolovich // Russian Microelectronics. – 2014. – Vol. 43, № 3. – P. 194-200. – https://doi.org/10.1134/S106373971401003X.
- Strength degradation of silicon diffusion-doped with gold / D. I. Brinkevich, S. A. Vabishchevich, N. V. Vabishchevich, V. S. Prosolovich // Inorganic Materials. – 2009. – Vol. 45, № 4. – P. 343-346. – https://doi.org/10.1134/S0020168509040013
- Brinkevich, D. I. Micromechanical properties of GaP <Dy> epilayers / D. I. Brinkevich, V. S. Prosolovich, N. V. Vabishchevich // Inorganic Materials. – 2012. – Vol. 48, № 8. – P. 768-772. – https://doi.org/10.1134/S0020168512070047
- Effect of Rare-Earth Doping on the Microhardness of Silicon and Germanium / D. I. Brinkevich, S. A. Vabishchevich, N. V. Vabishchevich… // Inorganic Materials: Article. – 2003. - Volume 39. – Р. 1109–1111.
- Defect formation in silicon implanted with ∼1 MeV/nucleon ions / S. A. Vabishchevich, N. V. Vabishchevich, D. I. Brinkevich… // Inorganic Materials: Article. – 2010. – November. - Volume 46. – Р. 1281–1284.
- Structure and electron-transport properties of photoresist implanted by Sb+Ions / N. Vabishchevich & oth. // Acta Physica Polonica A. – 2011. - № 120 (1). - Р. 46 - 48. - DOI 10.12693/APhysPolA.120.46.
- Physical and mechanical properties of silicon near the SiO2/Si interface / D.I. Brinkevich, N.V. Vabishchevich, S.A. Vabishchevich… // Journal of Surface Investigation. – 2013. - № 7 (6). - Р. 1217-1220. - DOI 10.1134/S1027451013060256.
- Effect of Ion Implantation on the Adhesion of Positive Diazoquinone-Novolak Photoresist Films to Single-Crystal Silicon / Vabishchevich, S.A., Brinkevich, S.D., Prosolovich, V.S., Vabishchevich, N.V., Brinkevich, D.I. // Journal of Surface Investigation. – 2020. - № 14(6). - Р. 1352–1357. - DOI 10.1134/S1027451020060476
- Adhesion of Diazoquinone–Novolac Photoresist Films Implanted with Boron and Phosphorus Ions to Single-Crystal Silicon / S.A. Vabishchevich, S.D. Brinkevich, D.I. Brinkevich, V.S. Prosolovich // High Energy Chemistry. – 2020. - № 54 (1). - Р. 46-50. - Cited 1 time. - https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85081002585&doi=10.1134%2fS0018143920010129&partnerID=40&md5=a76d4190c2338d73856a9a1dfaa9478d. - DOI: 10.1134/S0018143920010129.
- Склерометрический метод измерения микротвердости пленок фоторезиста на кремнии / Бринкевич Д.И., Просолович В.С., Янковский Ю.Н., Вабищевич С.А., Вабищевич Н.В., Гайшун В.Е. // Приборы и методы измерений. - 2016. – Т. 7, № 1. – С. 77–84. - DOI: 10.21122/2220-9506-2016-7-1-77-84.
- Brinkevich D. I.. Microhardness of silicon layers grown by liquid phase epitaxy / D. I. Brinkevich, S. A. Vabishchevich & V. S. Prosolovich // Inorganic Materials: Article. – 2007. – October. - Volume 43. – Р. 1035–1039.