Вабищевич
Сергей Ананьевич
Сергей Ананьевич
Кандидат физико-математических наук, доцент, заведующий кафедрой физики
Вабищевич Сергей Ананьевич
Кандидат физико-математических наук, доцент, заведующий кафедрой физики
E-mail:
Преподавательская деятельность
Преподавательская деятельность связана с Полоцким государственным университетом c 1990 года. В 1997 году защитил кандидатскую диссертацию по специальности 01.04.10 «Физика полупроводников и диэлектриков». В 2001г. присвоено ученое звание доцента.
Является членом Совета ФКНЭ, членом редколлегии журнала «Вестник ПГУ. Серия С. Фундаментальные науки». Имеет большой опыт работы с одаренной молодежью в области физики при подготовке к республиканским и международным конкурсам и олимпиадам. Постоянный участник жюри Республиканских этапов олимпиады по физике.
В настоящее время преподает следующие дисциплины:
- Физика
- Физика и техника полупроводников
- Основы электротехники и электроники
Научные интересы
- Изучение физико-механических свойств полупроводников, диэлектриков, полимеров и структур на их основе
Руководитель ряда научно-исследовательских работ в рамках государственных комплексных программ научных исследований: «Кристаллофизика» (2002-2005гг.) и «Кристаллические и молекулярные структуры» (2006-2010гг. и 2011-2013гг.). Под руководством Вабищевича С.А. проводятся исследования в области материаловедения полупроводников (Si, Ge, эпитаксиальные слои Si, соединения Si-Ge, А3В5) и структур на их основе (полимер-Si, SiO2/Si).
Авторский профиль ученого
Общественное признание, награды
В 2001г. удостоен стипендии Президента Республики Беларусь. Награжден грамотой Министерства образования Республики Беларусь в 2010г.
Публикации
Автор более 150 научных публикаций, монографии и патента
- Adhesion of Diazoquinone–Novolac Photoresist Films Implanted with Boron and Phosphorus Ions to Single-Crystal Silicon / S. A. Vabishchevich, S. D. Brinkevich, D. I. Brinkevich, V. S. Prosolovich // High Energy Chemistry. – 2020. – Vol. 54, № 1. – P. 46-50. – https://doi.org/10.1134/S0018143920010129
- Brinkevich, D. I. Microhardness of silicon layers grown by liquid phase epitaxy / D. I. Brinkevich, V. S. Prosolovich, S. A. Vabishchevich // Inorganic Materials. – 2007. – Vol. 43, No. 10. – P. 1035-1039. – https://doi.org/10.1134/S0020168507100019
- Strength degradation of silicon diffusion-doped with gold / D. I. Brinkevich, S. A. Vabishchevich, N. V. Vabishchevich, V. S. Prosolovich // Inorganic Materials. – 2009. – Vol. 45, № 4. – P. 343-346. – https://doi.org/10.1134/S0020168509040013
- Effect of Rare-Earth Doping on the Microhardness of Silicon and Germanium: Article / D. I. Brinkevich, S. A. Vabishchevich, N. V. Vabishchevich… // Inorganic Materials. – 2003. – November. - Volume 39. – Р. 1109–1111.
- Influence of background impurities on the formation of stacking faults in silicon wafers: Materials and Microstructure Characterization: Article / D. I. Brinkevich, V. S. Prosolovich, S. A. Vabishchevich & A. N. Petlitskii // Russian Microelectronics. – 2006. – March. - Volume 35. – Р. 94–97.
- Defect formation in silicon implanted with ∼1 MeV/nucleon ions: Article / S. A. Vabishchevich, N. V. Vabishchevich, D. I. Brinkevich… // Inorganic Materials. – 2010. - 25 November. - Volume 46. – Р. 1281–1284.
- Physical and mechanical properties of silicon near the SiO2/Si interface / D.I. Brinkevich, N.V. Vabishchevich, S.A. Vabishchevich… // Journal of Surface Investigation. – 2013. - № 7 (6). - Р. 1217-1220. - DOI 10.1134/S1027451013060256
- Effect of Ion Implantation on the Adhesion of Positive Diazoquinone-Novolak Photoresist Films to Single-Crystal Silicon: Article / S. A. Vabishchevich, S. D. Brinkevich, V. S. Prosolovich… // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. – 2020. - 28 December. - Volume 14. – Р. 1352–1357.
- Склерометрический метод измерения микротвердости пленок фоторезиста на кремнии / Бринкевич Д.И., Просолович В.С., Янковский Ю.Н., Вабищевич С.А…. // Приборы и методы измерений. - 2016. – Т. 7, № 1. – С. 77–84. - DOI: 10.21122/2220-9506-2016-7-1-77-84.